DW05DGCMS-BH-E超低電容ESD靜電保護(hù)二極管，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，可安全吸收±12 kV 的重復(fù)ESD沖擊而不影響性能，并可安全耗散2A的8/20μs 浪涌電流，廣泛應(yīng)用于在PCB布局尤其具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用中保護(hù)超高速消費電子產(chǎn)品接口免受破壞性靜電放電（ESD）的損壞。

不斷提升的數(shù)據(jù)速率給需要保持高度信號完整性的設(shè)計工程師帶來了巨大挑戰(zhàn)，與其他ESD保護(hù)解決方案相比，DW05DGCMS-BH-E的標(biāo)稱電容要低50%，有益于保持信號的完整性，并將數(shù)據(jù)丟失率降至最低。同時，提供超過30 GHz的傳輸頻帶，讓信號完整性工程師可創(chuàng)造出高速的數(shù)據(jù)環(huán)境。

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E特性：
? Small Body Outline Dimensions:0.60mm x 0.30 mm
? Low Clamping Voltage
? Ultra Low Capacitance:0.15pF
? Working Voltage: 5 V
? Low Leakage Current
? DFN0603-2L package
? IEC 61000-4-2 (ESD) ±12kV (air), ±12kV (contact)
? IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
? IEC 61000-4-5 (Lightning) 3A (8/20μs)

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E優(yōu)勢：
1）低于0.15 pF基于硅的ESD保護(hù)可實現(xiàn)高達(dá)30 GHz的傳輸頻帶，保護(hù)超快的數(shù)據(jù)接口確保高度信號的完整性；
2）采用業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)的0201DFN封裝，減少寄生電容、電感和電阻，使得TVS二極管陣列更好地融入保護(hù)方案；
3）超低寄生電容和電感可改善動態(tài)電阻性能，更快、更好地保護(hù)電路；

超低電容TVS二極管陣列DW05DGCMS-BH-E應(yīng)用：
? 超高速數(shù)據(jù)線路和接口
? 低功率天線端口
? 消費類、移動及便攜式電子產(chǎn)品 
? 平板電腦和帶有高速接口的外部存儲設(shè)備 

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